一种采用多步梯度扩散法制备晶体硅电池片的方法

摘要

本发明涉及一种晶体硅电池片的生产技术，具体涉及一种晶体硅电池片扩散制程领域。具体方法为将P型晶体硅通入预先设定的800℃的炉管，通入氮气，保温600-900s；分两步将炉管内温度升温至860℃，同时通入氧气和氮气；炉内温度恒温到860℃，同时通入氧气、氮气、磷源；逐渐缓慢降低炉内温度至852℃，同时通入磷源、氧气、氮气，时间为800s；再次直接将炉管温度降低至800℃，同时通入氧气、氮气，300s后退火；退火后，通入氮气后出舟。本发明与传统工艺方法相比电池转换至少提高0.25个百分点。

主权项

一种采用多步梯度扩散法制备晶体硅电池片的方法，采用梯度扩散法在P型晶体硅表面进行高温掺杂磷得到N型晶体硅，形成P‑N结，其特征在于：包括以下步骤，1）将P型晶体硅通入预先设定的800℃的炉管，通入氮气，保温600‑900s；2）分两步将炉管内温度升温至860℃，同时通入氧气和氮气，具体为：炉内温度先从800℃升温至820℃，同时通入氮气、氧气，其中氮气、氧气分别以18.0‑18.6L/min、0.8‑1.0L/min的速率通入炉内，通入时间为250‑350s；再从820℃升温至860℃，同时通入氮气、氧气，其中氮气、氧气分别以17.8‑18.2L/min、0.8‑1.1L/min的速率通入炉内，通入时间为800 ‑ 1200s；3）炉内温度恒温到860℃，同时通入氧气、氮气、磷源；4）分四步降低炉内温度，从860℃逐渐降低至852℃，同时通入磷源、氧气、氮气，时间为800s，具体为：将炉内温度从860℃降低至858℃，同时通入磷源、氮气、氧气，其中磷源、氮气、氧气分别以1.0‑1.35L/min、0.48‑0.52L/min、17.2 ‑ 17.9L/min的速率通入炉内，通入时间为180‑220s；再次将炉内温度从858℃降低至856℃，同时通入磷源、氮气、氧气，其中磷源、氮气、氧气分别以1.4 ‑ 1.55L/min、0.48‑0.52L/min、16.2‑16.75L/min的速率通入炉内，通入时间为180‑220s；进一步将炉内温度从856℃降低至854℃，同时通入磷源、氮气、氧气，其中磷源、氮气、氧气分别以1.78‑1.86L/min、0.28‑0.32L/min、16.2‑ 16.75L/min的速率通入炉内，通入时间为180‑220s；进一步将炉内温度从854℃降低至852℃，同时通入磷源、氮气、氧气，其中磷源、氮气、氧气分别以1.95 ‑2.25L/min、0.48‑0.52L/min、16.2‑16.75L/min的速率通入炉内，通入时间为180‑220s；5）直接将炉管温度从852℃降低至800℃，同时通入氧气、氮气，300s后退火；6）退火后，通入氮气，800s后出舟。