| 发明名称 | 半导体外延晶片的制造方法、半导体外延晶片以及固体摄像元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 目的在于提供制造具有更高的吸杂能力并且外延层表面的雾度级别降低的半导体外延晶片的方法。本发明的半导体外延晶片的制造方法的特征在于，具有：第一工序，在其中，对半导体晶片10照射簇离子16，在半导体晶片的表面10A形成由簇离子16的构成元素构成的改性层18；第二工序，在该第一工序之后，以使半导体晶片表面10A的雾度级别成为0.20ppm以下的方式对半导体晶片10进行结晶性恢复用的热处理；以及第三工序，在该第二工序之后，在半导体晶片的改性层18上形成外延层20。 | ||
| 申请公布号 | CN104823269A | 申请公布日期 | 2015.08.05 |
| 申请号 | CN201380059256.3 | 申请日期 | 2013.11.12 |
| 申请人 | 胜高股份有限公司 | 发明人 | 门野武;栗田一成 |
| 分类号 | H01L21/322(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I;C30B25/20(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L27/14(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/322(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 王岳;陈岚 |
| 主权项 | 一种半导体外延晶片的制造方法，其特征在于，具有：第一工序，在其中，对半导体晶片照射簇离子，在该半导体晶片的表面形成由所述簇离子的构成元素构成的改性层；第二工序，在该第一工序之后，以使所述半导体晶片表面的雾度级别成为0.20ppm以下的方式对所述半导体晶片进行结晶性恢复用的热处理；以及第三工序，在该第二工序之后，在所述半导体晶片的改性层上形成外延层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||