掩膜结构及其制法

摘要

本发明涉及掩膜结构及其制法，提供一种光刻掩膜结构，包括：衬底；位于该衬底上方的至少一个反射层；以及位于该至少一个反射层上方的吸收膜堆叠，该吸收膜堆叠包括由第一材料构成的多个第一膜层以及由第二材料构成的至少一个第二膜层。该第二材料不同于该第一材料，且该一个或多个第二膜层与该多个第一膜层交错。在一个实施例中，该吸收膜堆叠的总厚度小于50纳米。在另一个实施例中，对于极紫外光的预定义波长，该吸收膜堆叠的反射率小于2％。在又一个实施例中，该一个或多个第二膜层防止该第一膜层的平均晶粒尺寸超过该第一膜层的厚度。

主权项

一种结构，包括：光刻掩膜，包括：衬底；至少一个反射层，位于该衬底上方；以及吸收膜堆叠，位于该至少一个反射层上方，该吸收膜堆叠包括多个第一膜层以及至少一个第二膜层，该第一膜层包括第一材料且该至少一个第二膜层包括第二材料，该第二材料不同于该第一材料，其中，该至少一个第二膜层与该多个第一膜层中的第一膜层交错。