| 摘要 |
본 개시는 드리프트 층 및 쇼트키 층을 가지는 쇼트키 다이오드에 관한 것이다. 드리프트 층은 제1 도전 타입의 도핑 재료에 의해 도핑되고, 활성 영역과 연관되는 제1 표면을 가진다. 쇼트키 층은 쇼트키 접합을 형성하기 위하여, 제1 표면의 활성 영역 위에 제공된다. 제2 도전 타입의 복수의 접합 장벽 요소들은 쇼트키 접합 아래의 드리프트 층 내에 형성되고, 제2 도전 타입의 복수의 중앙 임플란트들 또한 쇼트키 접합 아래의 드리프트 층 내에 형성된다. 소정의 실시예들에서, 적어도 하나의 중앙 임플란트는 접합 장벽 요소들의 각각의 인접한 쌍 사이에서 제공된다. |
