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<p>발광 구조부에 크랙이 적고, 고품질의 수직형 LED 칩 및 그 제조 방법을 제공한다. 성장용 기판 상에, 제1 전도형의 III족 질화물 반도체층, 발광층 및 상기 제1 전도형과는 다른 제2 전도형의 III족 질화물 반도체층을 순차 적층해 발광 구조 적층체를 형성하는 발광 구조 적층체 형성 공정과 상기 성장용 기판의 일부가 노출되도록, 상기 발광 구조 적층체의 일부를 제거하는 것으로, 독립한 복수개의 발광 구조부를 형성하는 발광 구조부 형성 공정과, 상기 복수개의 발광 구조부에 도전성 서포트부를 접속하기 위한 접속층을 형성하는 공정과, 상기 접속층을 개입시켜 하부 전극을 겸하는 도전성 서포트부를 형성하는 공정과, 상기 성장용 기판을 상기 복수개의 발광 구조부로부터 리프트 오프하는 박리 공정과, 상기 발광 구조부 사이에서 상기 서포트부를 절단 하는 것에 의해, 각각이 상기 발광 구조부를 가지는 복수개의 LED 칩에 개편화하는 절단 공정을 갖추어 상기 발광 구조부 형성 공정은, 상기 복수개의 발광 구조부의 각각의 평면이, 원 또는 코너에 라운드를 가지는 4n각형 모양 (n은 정의 정수임)되도록, 상기 발광 구조 적층체의 일부를 제거하는 것을 포함하는 것을 특징으로 한다.</p> |
