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<p>반도체 박막에 대하여 충분한 가열이 행해지고, 또한, 열원 주사의 왕로 또는 귀로 중 어느 하나에서 어닐링을 행하여도 특성이 변동되지 않도록 한다. 박막 트랜지스터가, 예비 가열층으로서의 게이트 전극(11)과, 게이트 전극(11)에 대하여 평면 형상에서 일부가 겹치는 박막 반도체층(13d)을 갖는다. 예비 가열층으로서의 게이트 전극(11)은, 박막 반도체층(13d)과 겹치는 제1 영역 R1 이외의 부분(제2 영역 R2)이, 한 방향(X축 방향)과 직교하는 방향(Y축 방향)의 축을 경계로 선대칭의 평면 형상을 갖는다. 이와 같은 평면 형상에서는, X축 방향으로 주사되는 열원의 왕로와 귀로에서, 트랜지스터 채널이 형성되는 제1 영역 R1에 대한 예비 가열의 방법이 거의 동일하게 되어, 트랜지스터 특성의 균일성이 높아진다.</p> |
