发明名称 atomic layer deposition apparatus
摘要 <p>본 발명에 따른 원자층 증착장치는 가스공급유로가 내부에 형성되는 가스공급관, 상기 가스공급유로와 연통되는 압력완화부가 내부에 형성되는 가스배기관 및 가스흡기유로가 내부에 형성되도록 상기 가스배기관의 외주면의 적어도 일부를 둘러싸는 가스흡기관을 구비한 가스흡배기유닛; 및 상기 가스배기관의 전체 길이에 걸쳐 상기 가스배기관에서 배기되는 가스의 분사압이 균일하도록 상기 가스공급유로 또는 상기 압력완화부에 연결되어 가스를 공급하는 가스분사압조절유닛;을 포함하여, 가스가 균일한 압력 또는 균일한 양으로 분사되도록 제어할 수 있다.</p>
申请公布号 KR101541154(B1) 申请公布日期 2015.08.03
申请号 KR20120145238 申请日期 2012.12.13
申请人 发明人
分类号 C23C16/448;C23C16/455;H01L21/205 主分类号 C23C16/448
代理机构 代理人
主权项
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