| 摘要 |
장치는, 하나의 도전형의 웰 영역을 포함하는 기판; 웰 영역 내에 배치된 소자 분리 절연막; 그 주위가 소자 분리 절연막으로 둘러싸인 섬 형상 활성영역; 섬 형상 활성영역 상에 배치된 두 개의 제1 게이트 구조로서, 각각 하층 게이트 절연막, 고유전율을 갖는 게이트 절연막, 금속 재료를 함유하는 제1 게이트 전극막, 제2 게이트 전극막이 차례로 적층되어 구성되는 제1 게이트 구조; 및 소자 분리 절연막의 일부와 접촉하여 이를 덮는 제2 게이트 전극막을 가지는 제2 게이트 구조를 가진다. 두 개의 제1 게이트 구조 및 제2 게이트 구조는, 일측의 제1 게이트 구조, 제2 게이트 구조, 타측의 제1 게이트 구조의 순서로 연속적으로 배치되어 있다. |
