发明名称 多層反射膜付き基板、EUVリソグラフィー用反射型マスクブランク、EUVリソグラフィー用反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
摘要 本発明は、Cl系ガスを使用したドライエッチングが行われるEUVリソグラフィー用反射型マスクブランクの製造に使用される多層反射膜付き基板であって、前記ドライエッチング及びその後のウェット洗浄による保護膜の減損が非常に少ない多層反射膜付き基板等を提供することを目的とする。本発明は、EUVリソグラフィー用反射型マスクブランクの製造に使用される多層反射膜付き基板であって、該多層反射膜付き基板は、基板と、該基板上に形成された、EUV光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された、該多層反射膜を保護する保護膜とを有し、該保護膜は、少なくとも2種の金属を含む合金からなり、該合金は全率固溶体であることを特徴とする多層反射膜付き基板である。
申请公布号 JPWO2013141268(A1) 申请公布日期 2015.08.03
申请号 JP20140506260 申请日期 2013.03.21
申请人 HOYA株式会社 发明人 尾上 貴弘;折原 敏彦
分类号 H01L21/027;G03F1/24;G03F1/48 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
主权项
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