| 摘要 |
セラミック素体１の両端部に外部電極３ｂが被覆形成され、該外部電極３ｂの表面にＮｉを主成分とする第１の皮膜４ｂ及びＳｎやはんだ等からなる第２の皮膜５ｂが形成されている。外部電極３ｂは端面部６ｂと側面折返部８ｂとを有している。外部電極３ｂは、側面折返部８ｂの被覆端部７ｂから端面部６ｂ方向への直線距離Ｌが少なくとも５μｍ内の領域に、セラミック素体１と接する形態で少なくともＳｉを含有したガラス層９が形成されている。このガラス層９の平均厚みｔは、３〜１０μｍであり、ガラス層９中のＳｉ成分の含有量は、１１重量％以上（好ましくは４０重量％以下）である。これにより外部電極にめっき処理を施してもセラミック素体の溶出を抑制することができ、良好な機械的強度を有するセラミック電子部品を実現する。 |
