发明名称 半导体装置制造用接着片及半导体装置之制造方法
摘要
申请公布号 TWI494409 申请公布日期 2015.08.01
申请号 TW102110258 申请日期 2013.03.22
申请人 巴川制纸所股份有限公司 发明人 町井悟;山井敦史;春日英昌
分类号 C09J7/02;C09J11/04;H01L21/98 主分类号 C09J7/02
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 一种半导体装置制造用接着片,系具备基材及设于前述基材之一面且含有含氟添加剂之接着剂层,并可剥离地贴着于半导体装置之引线框架或配线基板者;其特征在于:前述接着剂层以下述(I)式求算的表面氟复原率在70%以上,且前述含氟添加剂系选自于由:含有全氟烷基之磺酸盐、含有全氟烷基之羧酸盐、全氟烷基伸烷基氧化物加成物、含有含氟基及亲油性基之寡聚物、含有含氟基及亲水性基之寡聚物、含有含氟基及亲水性基及亲油性基之寡聚物所构成之群组;表面氟复原率(%)=复原后表面氟含有率α÷初始表面氟含有率β×100…(I)[(I)式中,复原后表面氟含有率α系在氩气环境下,以输出450W之条件对接着剂层施行1分钟的电浆处理,接下来在220℃下将接着剂层加热15分钟后接着剂层的表面氟含有率(atom%);初始表面氟含有率β系在施行前述电浆处理前接着剂层的表面氟含有率(atom%)]。
地址 日本