| 主权项 |
一种半导体装置，包含：闸极电极；闸极绝缘膜于该闸极电极之上；氧化物半导体层于该闸极绝缘膜之上，该氧化物半导体层包含第一区域和第二区域；源极电极和汲极电极于该氧化物半导体层之上；及绝缘膜于该氧化物半导体层、该源极电极和该汲极电极之上，其中，该第一区域位于该闸极绝缘膜和该第二区域之间，其中，该第一区域包含非晶结构及该第二区域包含结晶结构，其中，该第二区域之结晶性高于该第一区域之结晶性，其中，该氧化物半导体层位于该源极电极和该汲极电极之间的部分比该氧化物半导体层在该源极电极和该汲极电极之下的部分薄，且其中，该氧化物半导体层位于该源极电极和该汲极电极之间的该部分包括该第二区域。
|
