| 发明名称 |
ＮＡＮＤ快闪记忆体单元、ＮＡＮＤ快闪记忆体阵列及其操作方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI495048 |
申请公布日期 |
2015.08.01 |
| 申请号 |
TW101117996 |
申请日期 |
2012.05.21 |
| 申请人 |
群联电子股份有限公司 |
发明人 |
林纬;白田理一郎;毛 妮娜;郭才豪 |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L27/115 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
| 主权项 |
一种NAND快闪记忆体单元，包括：串联连接的多个记忆胞的一串列；二个源极/汲极区，耦接至该些记忆胞的该串列的二端；至少一选择电晶体，耦接于该串列的一端与该些源极/汲极区中的一者之间，用以选择该些记忆胞的该串列；以及至少一抹除电晶体，耦接于该至少一选择电晶体与该些源极/汲极区中的一者之间，用以减少该至少一选择电晶体的起始电压偏移。
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| 地址 |
苗栗县竹南镇群义路1号 |
