发明名称 多层膜的形成方法、显示面板之制法及显示面板
摘要
申请公布号 TWI495008 申请公布日期 2015.08.01
申请号 TW099102008 申请日期 2010.01.26
申请人 奥特司科技股份有限公司 发明人 田中良孝;近森博之
分类号 H01L21/311;G09F9/30;G02F1/136 主分类号 H01L21/311
代理机构 代理人 丁国隆 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;黄政诚 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项 一种多层膜的形成方法,其具有:使第1导电层成膜于基板上之步骤;使第1绝缘层成膜于前述第1导电层上之步骤;使第2导电层成膜于前述第1绝缘层上,并将前述成膜之第2导电层进行图案化之步骤;以覆盖经图案化之前述第2导电层之方式,使第2绝缘层成膜于前述基板上之步骤;使蚀刻速度较该第2绝缘层还快之第3绝缘层,成膜于前述第2绝缘层上之步骤;以及相对于前述第1绝缘层、前述第2绝缘层及前述第3绝缘层,总括地形成使前述第1导电层的至少一部分暴露出之接触孔之步骤;其中该第1绝缘层之成膜气体的成分与该第2绝缘层之成膜气体的成分相同,且该第1绝缘层之成膜气体的流速与该第2绝缘层之成膜气体的流速相同。
地址 日本
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