| 发明名称 |
记忆体装置及其制造方法;MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
| 摘要 |
一种记忆体装置，包括主动层带及绝缘层带交错的复数个堆叠，绝缘层带具有等效氧化层厚度，使该些堆叠藉交错之主动层带及绝缘层带具有非简单空间周期；复数个导线，正交排列于该些堆叠上且具有与该些堆叠共形的表面，该些导线在该些导线及主动层带之侧表面交界处定义介面区间的一多层阵列；以及记忆元件，位于介面区间中，介面区间建立可藉主动层带及该些导线存取的记忆胞之三维阵列。 |
| 申请公布号 |
TW201530697 |
申请公布日期 |
2015.08.01 |
| 申请号 |
TW103115783 |
申请日期 |
2014.05.02 |
| 申请人 |
旺宏电子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. |
发明人 |
陈士弘 CHEN, SHIH HUNG |
| 分类号 |
H01L21/8239(2006.01);H01L27/105(2006.01);H01L45/00(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/8239(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
祁明辉林素华 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹县科学工业园区力行路16号 TW |
