光二极体之制造方法及光二极体

主权项

一种光二极体之制造方法，其特征在于包括以下步骤：准备矽基板，该矽基板包含第1导电型之半导体，具有相互对向之第1主面及第2主面，并且于上述第1主面侧形成有第2导电型之半导体区域；对上述矽基板之上述第2主面中之至少与第2导电型之上述半导体区域对向之区域照射脉冲雷射光，而形成不规则之凹凸；于形成不规则之凹凸之上述步骤之后，于上述矽基板之上述第2主面侧形成具有较上述矽基板更高之杂质浓度之第1导电型之累积层；及于形成第1导电型之上述累积层之上述步骤之后，对上述矽基板进行热处理。