发明名称 | 成膜装置、成膜方法及记忆媒体 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI494459 | 申请公布日期 | 2015.08.01 |
申请号 | TW098142405 | 申请日期 | 2009.12.11 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 小原一辉;本间学 |
分类号 | C23C16/455;C23C16/458;C23C16/46 | 主分类号 | C23C16/455 |
代理机构 | 代理人 | 林秋琴 台北市大安区敦化南路1段245号8楼;何爱文 台北市大安区敦化南路1段245号8楼 | |
主权项 | 一种成膜装置,系于真空容器内将至少2种会互相反应的反应气体依序供给至基板表面并实施该供给循环,以堆积多层反应生成物的层而形成薄膜,其特征在于具备:回转台,系设置于该真空容器内并具有用以载置基板之基板载置区域;基板加热机构,系用以加热该回转台所载置之基板而设置;第1反应气体供给机构及第2反应气体供给机构,系相互分离地设置于该回转台的圆周方向处,以分别将第1反应气体及第2反应气体供给至该回转台之基板载置区域侧的面;分离气体供给机构,系为了分离供给有第1反应气体之第1的处理区域与供给有第2反应气体之第2的处理区域的气氛,将分离气体供给至于该圆周方向处而位于该等处理区域之间的分离区域;排气口,系用以将被供给至该回转台的各反应气体及分离气体排气;以及温度调节机构,系可加热或冷却该真空容器。 | ||
地址 | 日本 |