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发明名称 在半导体处理系统中离子源之清洗
摘要
申请公布号 TWI494975 申请公布日期 2015.08.01
申请号 TW098104345 申请日期 2009.02.11
申请人 先进科技材料公司 发明人 史威尼　约瑟Ｄ;叶达夫　莎拉德Ｎ;拜　欧利格;金姆　罗伯;艾德瑞吉　大卫;塞吉　史蒂芬;丰琳;毕夏普　史蒂芬Ｅ;欧兰德Ｗ　卡尔;唐瀛
分类号 H01L21/265;H01L21/30 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种清洗离子植入系统的前级管道以便从中去除与电离作用有关的沉积物之方法，该方法包括将离子植入系统之前级管道与清洗气在以下条件下进行接触，在这些条件下所述清洗气与该沉积物具有化学反应性以实现将其至少部分地去除，且进一步包括在涡轮泵之下游提供该清洗气并且将所述清洗气连续地流至该离子植入系统之前级管道中。
地址 美国
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