发明名称 | 发光二极体 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI495161 | 申请公布日期 | 2015.08.01 |
申请号 | TW097150970 | 申请日期 | 2008.12.26 |
申请人 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 发明人 | 李群庆;姜开利;范守善 |
分类号 | H01L33/42 | 主分类号 | H01L33/42 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种发光二极体,其包括:一基底;一有源层,该有源层设置于所述基底之表面,该有源层包括一第一半导体层、一第二半导体层以及一活性层,该活性层设置于该第一半导体层与该第二半导体层之间;一第一电极,该第一电极与所述第一半导体层电连接;一第二电极,该第二电极与所述第二半导体层电连接;以及至少一透明导电层,该至少一透明导电层直接覆盖至少部分所述有源层,并与所述第一电极及第二电极中之至少一个电极电连接;其改良在于,所述至少一透明导电层包括一奈米碳管结构,进一步包括一固定电极,该固定电极设置于部分该奈米碳管结构与所述有源层之间,用于固定该奈米碳管结构。 | ||
地址 | 新北市土城区自由街2号 |