发明名称 藉由侦测自然临限电压分布以预测记忆体中之程式干扰
摘要
申请公布号 TWI494933 申请公布日期 2015.08.01
申请号 TW099114827 申请日期 2010.05.10
申请人 桑迪士克科技公司 发明人 董颖达;许华龄
分类号 G11C16/34 主分类号 G11C16/34
代理机构 代理人 黄章典 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种用于操作一非挥发性储存系统之方法,其包括:藉由将一第一系列之程式化脉冲施加至该非挥发性储存系统中之一储存元件区块中之一选定字线来执行一第一程式化阶段,该选定字线系与该区块之选定储存元件通信;确定该等选定储存元件之一第一部分之临限电压何时超出一验证位准,并识别该第一系列中之一相关联程式化脉冲;确定该等选定储存元件之一第二部分之临限电压何时超出该验证位准,并识别该第一系列中之一相关联程式化脉冲;至少部分地基于该等相关联程式化脉冲确定是否指示用以降低该等选定储存元件中之一程式干扰机率之一预防性措施;及若指示该预防性措施,则实施该预防性措施,其中该确定是否指示该预防性措施系至少部分地基于该等相关联程式化脉冲之脉冲数目之间的一差,该等脉冲数目指示在该第一系列之程式化脉冲中之该等相关联程式化脉冲之各别顺序位置。
地址 美国