半导体装置之制造方法

主权项

一种半导体装置之制造方法，其特征包括：在半导体基板表面形成第1层间絶缘膜之工程；在上述第1层间絶缘膜表面形成第2层间絶缘膜之工程；在涂敷于上述第2层间絶缘膜表面之阻剂膜上制作图案(patterning)之工程；以上述阻剂膜做为遮罩，进行各向同性蚀刻上述第2层间絶缘膜与上述第1层间絶缘膜至预选深度以形成接触孔的开口部，接着进行各向异性蚀刻上述第2层间绝缘膜与上述第1层间绝缘膜以形成具有倾斜面之上部及延伸自上述上部及到达上述半导体基板表面之下部的接触孔之工程；在上述接触孔之内壁与上述第2层间絶缘膜表面形成阻障金属层之工程；在上述阻障金属层表面堆积由絶缘膜形成的保护膜之工程；在上述保护膜进行各向异性蚀刻并留下侧壁状之絶缘膜俾覆盖上述接触孔侧壁之阻障金属层表面以及接触孔侧壁与接触孔底面之接合部分相当之接触侧底面的阻障金属层表面之工程；在上述侧壁状絶缘膜，上述阻障金属层，与上述第2层间絶缘膜表面上堆积配线材料之工程；以及将上述阻障金属层与上述配线材料蚀刻成所要形状之
工程。