| 摘要 |
本发明提供一种表面性状较为良好，且氮原子之背景浓度充分降低之碳化矽磊晶基板及其制造方法。碳化矽磊晶基板(10)包括：基底基板(1)，其具有C面作为主表面；及碳化矽磊晶层(2)，其配置于基底基板(1)之C面上。碳化矽磊晶层(2)包含氮原子之背景浓度为3×10 15 cm -3 以下之层。制造方法包括于碳化矽基底基板(1)之C面上形成碳化矽磊晶层(2)之步骤。于形成碳化矽磊晶层(2)之步骤中，原料气体中碳原子数相对于矽原子数之比C/Si为1.7以上且2.1以下，磊晶成长温度为1600℃以上、1800℃以下之范围。 |
