| 发明名称 |
铟膜、供形成铟膜之铟溅镀靶及其制造方法;IN FILM AND IN SPUTTERING TARGET FOR DEPOSITING SAME |
| 摘要 |
本发明提供一种铟溅镀靶，系含有合计0.5~10.0原子%之从铋(Bi)、锑(Sb)、锡(Sn)、锌(Zn)选择而来1种以上的元素，残部具有由铟及不可避免不纯物所构成的成分组成。; and the In balance and inevitable impurities, is provided. The total content of the one or more elements is 0.5 to 10.0 atomic %. |
| 申请公布号 |
TW201529862 |
申请公布日期 |
2015.08.01 |
| 申请号 |
TW103134885 |
申请日期 |
2014.10.07 |
| 申请人 |
三菱综合材料股份有限公司 MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION |
发明人 |
梅本启太 UMEMOTO, KEITA;张守斌 ZHANG, SHOUBIN;加藤慎司 KATO, SHINJI |
| 分类号 |
C22C28/00(2006.01);C23C14/34(2006.01);H01L31/0749(2012.01) |
主分类号 |
C22C28/00(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 JP |
