| 发明名称 | 半导体装置之绝缘结构与其制造方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI495011 | 申请公布日期 | 2015.08.01 |
| 申请号 | TW102129151 | 申请日期 | 2013.08.14 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 蓝国毓 |
| 分类号 | H01L21/311 | 主分类号 | H01L21/311 |
| 代理机构 | 代理人 | 祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼 | |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：一沟渠，形成于一半导体基板中；以及一绝缘结构，形成于该沟渠中，该绝缘结构包括：一覆盖氧化层；及一基底氧化层；其中该基底氧化层容纳该覆盖氧化层，且该绝缘结构之顶面为平面，该绝缘结构之顶面位于一第一深度，该绝缘结构之底面位于一第二深度，该基底氧化层之凹部的一波谷位于一第三深度，该第三深度介于该第一深度与该第二深度之间，且该绝缘结构在该第三深度之氮含量少于该绝缘结构在该第二深度之氮含量。 | ||
| 地址 | 新竹县科学工业园区力行路16号 | ||