半导体结构的形成方法

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成介质层；在所述介质层上形成掩膜层，所述掩膜层具有暴露介质层表面的开口，所述掩膜层材料为光刻胶或无定形碳；以所述掩膜层为掩膜，对所述介质层进行等离子体刻蚀，偏置功率源以脉冲的方式输出偏置功率，当偏置功率源打开时，刻蚀部分所述介质层，形成刻蚀孔，当偏置功率源关闭时，在掩膜层的上表面形成聚合物，重复偏置功率源打开和偏置功率源关闭的过程，直至形成通孔；在所述等离子体刻蚀的过程中，射频功率源以脉冲的方式输出射频功率，偏置功率源输出脉冲的频率等于射频功率源输出脉冲的频率。