| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| 摘要 |
本发明旨在提供一种半导体装置及其制造方法，可减少接合FET之导通电阻。 其中，依一实施形态之半导体装置中，接面型场效电晶体之闸极区域GR，包含低浓度闸极区域LGR，及杂质浓度高于低浓度闸极区域LGR之高浓度闸极区域HGR，高浓度闸极区域HGR，内含于低浓度闸极区域LGR。 |
| 申请公布号 |
TW201530773 |
申请公布日期 |
2015.08.01 |
| 申请号 |
TW103127515 |
申请日期 |
2014.08.11 |
| 申请人 |
瑞萨电子股份有限公司 RENESAS ELECTRONICS CORPORATION |
发明人 |
新井耕一 ARAI, KOICHI |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
周良谋周良吉 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 JP |
