用于制造贯通基板穿孔及前侧结构之器件、系统及方法;DEVICES, SYSTEMS AND METHODS FOR MANUFACTURING THROUGH-SUBSTRATE VIAS AND FRONT-SIDE STRUCTURES

摘要

本发明揭示制造半导体器件及具有贯通基板穿孔(TSV)之半导体器件之方法。制造一半导体器件之一方法之一项实施例包含：形成穿过一介电结构及一半导体基板之至少一部分之一开口；及形成具有给该开口加衬里之一第一部分及在该介电结构之在该开口之横向外侧之一外表面上之一第二部分之一介电衬里材料。该方法进一步包含：移除导电材料以使得该介电衬里材料之该第二部分曝露；及在该介电衬里材料之该第二部分中形成电耦合至该TSV之一镶嵌导电线。