半导体结构

主权项

一种半导体结构，包括：一矽基板；一氮化铝层，配置于该矽基板上；以及多组渐变式应力缓冲层，配置于该氮化铝层上，其中各组渐变式应力缓冲层包括依序堆叠的一渐变层及一过渡层，该些渐变层的化学通式为Al1-xGaxN，其中x值从邻近该矽基板之一侧往远离该矽基板之一侧逐渐递增，且0≦x≦1，而各该过渡层与同组中的该渐变层中最远离该矽基板之一侧表面具有相同的化学通式，最远离该矽基板的该组渐变式应力缓冲层中的该过渡层的化学通式为GaN，且各该渐变层的厚度介于50奈米到700奈米之间。