基板处理方法

主权项

一种基板处理方法，系处理具有作为遮罩层的氧化膜及作为处理对象层的矽层之基板，其特征为：具有沈积蚀刻步骤，其系藉由从氟系气体、溴系气体、氧气体及SiCl4气体的混合气体所生成的电浆来使沈积物堆积于前述氧化膜表面，一面确保作为前述遮罩层的层厚，一面蚀刻前述矽层，相对于全处理气体流量，将前述SiCl4气体的流量调整成0.5~3%，前述溴系气体为HBr气体，前述基板的处理系于收容前述基板的密闭容器内进行，且将前述沈积蚀刻步骤及前述沈积步骤的前述密闭容器内的压力调整成40mTorr(5.32Pa)~300mTorr(3.99×10Pa)。