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发明名称
分布回馈型半导体雷射元件及分布回馈型半导体雷射元件的制造方法;DISTRIBUTED FEEDBACK LASER DIODE AND DISTRIBUTED FEEDBACK LASER DIODE FABRICATION METHOD
摘要
本发明以提供可以缩短电子束描绘需要的时间之分布回馈型半导体雷射元件及分布回馈型半导体雷射元件的制造方法为目的。其特征在于包括基板12;活性层16,在上述基板12的上方形成;以及绕射光栅20,具有第1图案20a、以及比上述第1图案20a短并与上述第1图案20a的部相对之第2图案20b,绕射上述活性层16中产生的光。
申请公布号
TW201530946
申请公布日期
2015.08.01
申请号
TW103136966
申请日期
2014.10.27
申请人
三菱电机股份有限公司 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人
上辻哲也 UETSUJI, TETSUYA;川和重 KAWASAKI, KAZUSHIGE;南政史 MINAMI, MASAFUMI
分类号
H01S5/22(2006.01)
主分类号
H01S5/22(2006.01)
代理机构
代理人
洪澄文
主权项
地址
日本 JP
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