利用具有电浆蚀刻之混合式多步骤雷射划线制程的晶圆切割

主权项

一种切割一半导体晶圆的方法，该半导体晶圆包含复数个积体电路，该方法包含以下步骤：形成一遮罩于该半导体晶圆上，该遮罩包含覆盖及保护该等积体电路的一层；以一多步骤雷射划线制程图案化该遮罩及该半导体晶圆的一部分，以提供一图案化遮罩与在该半导体晶圆中之该等积体电路间的多个沟槽，该多步骤雷射划线制程包含以下步骤：利用二或更多偏移、但重叠的高斯光束通来划线；及，随后，利用重叠该等高斯光束通的一高帽光束通来划线；及电浆蚀刻该半导体晶圆以延伸该等沟槽与单粒化该等积体电路。