发明名称 气相成长装置以及气相成长方法
摘要
申请公布号 TWI494469 申请公布日期 2015.08.01
申请号 TW103101697 申请日期 2014.01.17
申请人 纽富来科技股份有限公司 发明人 山田拓未;佐藤裕辅
分类号 C23C16/54;C23C16/455 主分类号 C23C16/54
代理机构 代理人 叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;郑婷文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;詹富闵 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种气相成长装置,其特征在于包括:反应室;喷淋板,包括:多个第1横向气体流路,配置在上述反应室的上部,且配置在第1水平面内而相互平行地延伸;多个第1纵向气体流路,连接于上述第1横向气体流路,沿纵向延伸且在上述反应室侧具有第1气体喷出孔;多个第2横向气体流路,配置在比上述第1水平面靠上方的第2水平面内,且沿与上述第1横向气体流路相同的方向相互平行地延伸;及多个第2纵向气体流路,连接于上述第2横向气体流路,通过上述第1横向气体流路之间,沿纵向延伸且在上述反应室侧具有第2气体喷出孔,上述喷淋板对上述反应室内供给气体;以及支持部,设置在上述反应室内的上述喷淋板下方,且可载置基板。
地址 日本