发明名称 |
场效应电晶体、半导体记忆体、显示元件、影像显示装置以及系统 |
摘要 |
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申请公布号 |
TWI495103 |
申请公布日期 |
2015.08.01 |
申请号 |
TW099145561 |
申请日期 |
2010.12.23 |
申请人 |
理光股份有限公司 |
发明人 |
曾根雄司;植田尚之;中村有希;安部由希子 |
分类号 |
H01L29/78;H01L27/115;G09F9/00 |
主分类号 |
H01L29/78 |
代理机构 |
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代理人 |
洪尧顺 台北市内湖区行爱路176号3楼 |
主权项 |
一种场效应电晶体,包括:一基板;一源极电极、一汲极电极、和一闸极电极,其等系形成在该基板上;一半导体层,藉由该半导体层,当一预定电压施加至该闸极电极时,一通道形成在该源极电极和该汲极电极之间;以及一闸极绝缘层,提供在该闸极电极和该半导体层之间,其中该闸极绝缘层系由包括选自铍、镁、钙和锶所构成之群组中一或二或更多元素以及选自镓、钪、钇和除了铈以外的镧系元素所构成之群组中一或二或更多元素的一非晶相复合金属氧化物绝缘薄膜所形成。
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地址 |
日本 |