| 主权项 |
一种半导体基板，其系具备：基底基板，系包含矽；阻碍体，系形成于前述基底基板上，具有露出前述基底基板表面的开口，以阻碍结晶成长；以及光吸收构造体，系连接于露出在前述开口内部之前述基底基板的表面，形成于前述开口的内部；其中，前述光吸收构造体系具有第1半导体、第2半导体及第3半导体，前述第1半导体系包含：第1传导型第1半导体；形成于前述第1传导型第1半导体的上方且具有与前述第1传导型第1半导体相反的传导型之第2传导型第1半导体；以及形成于前述第1传导型第1半导体与前述第2传导型第1半导体之间且有效载子浓度比前述第1传导型第1半导体与前述第2传导型第1半导体更低之低载子浓度第1半导体；前述第2半导体系包含：与前述第2传导型第1半导体晶格匹配或近似晶格匹配且具有与前述第2传导型第1半导体相反的传导型之第1传导型第2半导体；形成于前述第1传导型第2半导体的上方且具有与前述第1传导型第2半导体相反的传导型之第2传导型
第2半导体；以及形成于前述第1传导型第2半导体与前述第2传导型第2半导体之间且有效载子浓度比前述第1传导型第2半导体与前述第2传导型第2半导体更低之低载子浓度第2半导体；前述第3半导体系包含：与前述第2传导型第2半导体晶格匹配或近似晶格匹配之第1传导型第3半导体；形成于前述第1传导型第3半导体的上方且具有与前述第1传导型第3半导体相反的传导型之第2传导型第3半导体；以及形成于前述第1传导型第3半导体与前述第2传导型第3半导体之间且有效载子浓度比前述第1传导型第3半导体与前述第2传导型第3半导体更低之低载子浓度第3半导体；前述第1半导体含有具有第1禁带宽的材料，且由Cx1Siy1Gez1Sn1-x1-y1-z1(0≦x1<1，0≦y1≦1，0≦z1≦1，且0<x1+y1+z1≦1)所构成；前述第2半导体含有具有比前述第1禁带宽更大之第2禁带宽的材料，且由Alx2Iny2Ga1-x2-y2Asz2Pw1N1-z2-w1(0≦x2≦1，0≦y2≦1，且0≦x2+y2≦1；以及0≦z2≦1，0≦w1≦1，且0≦z2+w1≦1)所构成；前述第3半导体含有具有比前述第2禁带宽更大之第3禁带宽的材料，且前述第3半导体系由
Alx3Iny3Ga1-x3-y3Asz3P1-z3(0≦x3≦1，0≦y3≦1，0≦z3≦1，且0≦x3+y3≦1)所构成。 |
