发明名称 用于沉积一物质之制造设备及使用于其中之一电极
摘要
申请公布号 TWI495029 申请公布日期 2015.08.01
申请号 TW098112371 申请日期 2009.04.14
申请人 汉洛克半导体公司 发明人 希拉布兰 大卫;克纳普 赛朵尔
分类号 H01L21/67;H01L21/205;C23C16/54 主分类号 H01L21/67
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种用于将一物质沉积于一载体上之制造设备,该载体具有彼此间隔开之一第一端及一第二端,其中一插口安置于该载体之每一端处,该设备包含:一外壳,其界定一腔室;一入口,其经界定成穿过该外壳以用于将一气体引入至该腔室中;一出口,其经界定成穿过该外壳以用于自该腔室排出该气体;至少一电极,其具有一外表面,该外表面具有一经调适以接触该插口之接触区域,该电极经安置成穿过该外壳,其中该电极至少部分地安置于该腔室内以用于与该插口耦接;一电源装置,其耦接至该电极以用于提供一电流至该电极;及一接触区域涂层,其安置于该电极之该接触区域上以维持该电极与该插口之间的热导率,该接触区域涂层具有至少为9x106西门子/米之一电导率及在一基于作为一电解液之室温海水之电势序中比银高的抗蚀性。
地址 美国