包括缩减高度之金属闸极堆叠的半导体装置及形成该半导体装置之方法

主权项

一种形成半导体装置的方法，该半导体装置包括缩减高度的金属闸极堆叠，该方法包括：于半导体层之上形成电晶体之闸极电极结构，该闸极电极结构包括高介电常数值介电层、形成于该高介电常数值介电层上之含金属材料、及形成于该含金属材料之上之遮罩材料；利用该闸极电极结构作为布植遮罩从而于该半导体层中形成汲极和源极区；移除该闸极电极结构之该遮罩材料之至少一部份以缩减该闸极电极结构之高度；以及于该汲极和源极区及缩减高度之该闸极电极结构之上形成应变诱导介电层，该应变诱导介电层于该电晶体之通道区中产生应变。