发明名称 METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, AND RECORDING MEDIUM
摘要 본 발명은, 양호한 막질을 얻는 기판 처리 장치를 제공한다. 처리실에 수용한 기판을 제1 온도로 유지하면서, 상기 처리실에 원료 가스를 공급하는 원료 가스 공급 공정과, 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도로 가열한 불활성 가스를 상기 처리실에 공급하여, 상기 처리실에 잔류하는 상기 원료 가스를 제거하는 제1 제거 공정과, 반응 가스를 상기 처리실에 공급하는 반응 가스 공급 공정과, 불활성 가스를 상기 처리실에 공급하여, 상기 처리실에 잔류하는 상기 반응 가스를 제거하는 제2 제거 공정을 행한다.
申请公布号 KR20150088238(A) 申请公布日期 2015.07.31
申请号 KR20157008300 申请日期 2013.12.27
申请人 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. 发明人 OHASHI NAOFUMI
分类号 H01L21/02;H01L21/205;H01L21/314 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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