| 摘要 |
<p>LCD 드라이버 등에서 소형화에 의한 플러그의 고저항화를 억제하고, 또한, 고내압 MISFET의 게이트 전극과 배선 간의 내압 불량을 개선할 수 있는 기술을 제공한다. LCD 드라이버에서, 고내압 MISFET에서는, 전계 완화용 절연 영역(3) 상에 게이트 전극(10b)의 단부가 올라타 있다. 그리고, 고내압 MISFET 상의 1층째의 층간 절연막 상에 소스 배선 혹은 드레인 배선으로 되는 배선 HL1이 형성되어 있다. 이 때, 반도체 기판(1S)과 게이트 절연막(8)의 계면으로부터 게이트 전극(10b)의 상부까지의 거리를 a, 게이트 전극(10b)의 상부로부터 배선 HL1이 형성되어 있는 층간 절연막의 상부까지의 거리를 b로 하면, a>b로 되어 있다. 이와 같이 구성되어 있는 고내압 MISFET에서, 배선 HL1은, 고내압 MISFET의 게이트 전극(10b)과 평면적인 겹침을 갖지 않도록 배치되어 있다.</p> |
