| 摘要 |
格子整合系のＨＥＭＴ素子であって、二次元電子ガス濃度を実用的な範囲で確保しつつ逆方向耐圧の高いＨＥＭＴ素子を提供する。ＡｌＮテンプレート基板やＳｉ単結晶基材をベースとする基板などである下地基板の上に、ＧａＮからなるチャネル層を形成し、該チャネル層の上に、ＩｎｘＡｌｙＧａｚＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦̸ｚ≦̸０．３）なる組成のIII族窒化物からなる障壁層を形成し、該障壁層の上に、ソース電極、ドレイン電極、およびゲート電極を形成することによって半導体素子を作製するにあたって、障壁層のＩｎモル分率ｘとＧａモル分率ｚと厚みｄとが、所定の範囲をみたすようにする。 |
