| 摘要 |
<p>【課題】電子デバイスの省電力化を実現可能なスピン電子メモリ及びスピン電子回路を提供することを目的とする。【解決手段】本発明のスピン電子メモリは、少なくとも、一対の電極と、前記電極間に配され、厚みが０ｎｍより厚く２ｎｍ未満であり、Ｓｂ２Ｔｅ３又はＢｉ２Ｔｅ３を主成分とする合金層Ａと、前記合金層Ａに隣接して積層され、ＧｅＴｅを主成分とする合金層Ｂとを有し、前記電極からの電圧印加に基づき、前記合金層Ａ中で異なるスピン状態をとる２つのスピン電子に密度差を発生させるスピン流発生層と、が設けられ、密度の高い方の前記スピン電子を利用してメモリ動作を行うことを特徴とする。【選択図】図４</p> |
