| 摘要 |
半導体装置は、第一の半導体チップ（１）、その側面の拡張部（２）及び上の接続端子（４）、半導体チップ（１）及び拡張部（２）上で、接続端子（４）に接合する配線（５１）とその上の絶縁層（５４）を含む再配線部（５０）、拡張部（２）上、再配線部（５０）の表面にあり、絶縁層（５４）の開口部（５４１）で配線（５１）に接合する電極（１６）を有する。電極（１６）は、主に配線（５１）より高弾性率の材料からなり、開口部（５４１）で配線（５１）と接合する接合領域（ｒ１）及び拡張部（２）の端部に近い外方領域（ｒ２）を有する。配線（５１）は外方領域（ｒ２）の手前まで連続に延伸する。 |
