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发明名称
半導体装置の製造方法
摘要
半導体装置を容易に製造し得る方法を提供する。半導体材料からなる基板10の一主面10bの一部分の上に、p型半導体層12pを形成するp型半導体層形成工程を行う。p型半導体層12pの上を含め、基板10の一主面10bの上にn型半導体層23nを形成する。n型半導体層23nのp型半導体層12pの上に位置する部分の少なくとも一部をアルカリエッチング液を用いてエッチングする。
申请公布号
JPWO2013133005(A1)
申请公布日期
2015.07.30
申请号
JP20140503744
申请日期
2013.02.19
申请人
パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人
中井 拓夫;曽谷 直哉;森上 光章
分类号
H01L21/308;H01L21/306;H01L31/0747
主分类号
H01L21/308
代理机构
代理人
主权项
地址
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