| 摘要 |
<p>【課題】従来のＣＩＧＳ化合物半導体太陽電池に比べ、低照度であっても高い変換効率を維持することができるＣＩＧＳ化合物半導体太陽電池を提供すること。【解決手段】本発明に係る化合物半導体太陽電池は、基板と、前記基板上に設けられた裏面電極と、前記裏面電極上に設けられたｐ型化合物半導体光吸収層と、前記ｐ型化合物半導体光吸収層上に設けられたｎ型化合物半導体バッファ層と、前記ｎ型化合物半導体バッファ層上に設けられた透明電極と、を有する化合物半導体太陽電池において、前記ｐ型化合物半導体光吸収層の断面構造が、厚さ方向に、単一の粒子のみの部分と、複数の粒子が積み重なった部分とを有し、複数の粒子が積み重なった部分において、前記裏面電極に接する粒子のＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の比ｙ１と、ｎ型化合物半導体バッファ層に接する粒子のＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の比ｙ２が、ｙ１＞ｙ２である。【選択図】図１</p> |
