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<p>일 실시예에 따르면, 반도체 메모리 장치는 복수의 메모리 셀을 포함하는 메모리 셀 어레이와, 난수를 생성하도록 된 난수 생성 회로와, 메모리 셀 어레이와 난수 생성 회로를 제어하도록 된 컨트롤러를 포함한다. 난수 생성 회로는 생성되는 제어 파라미터에 의해 메모리 셀로부터 독출되는 데이터를 기초로 난수 파라미터를 생성하도록 된 난수 제어 회로와, 난수 파라미터를 시드 값으로서 이용하여 난수를 생성하도록 된 의사-난수 생성 회로를 포함한다.</p> |
