光起電力装置

摘要

本発明に係る光起電力装置（１００）は、結晶系半導体の基板（１０）と、基板（１０）の主面上に形成された第１非晶質層（１２ａ）と、を備え、基板（１０）と第１非晶質層（１２ａ）との界面において、基板（１０）との界面近傍から膜厚方向に沿って階段状に減少するｐ型ドーパント密度プロファイルを有することにより、再結合中心の増加を抑えつつ導電率を向上でき、発電効率を向上することができる。