HALBLEITERSTRUKTUR UND IHR HERSTELLUNGSVERFAHREN

摘要

Die vorliegende Offenbarung sieht eine Halbleiterstruktur vor, die eine Halbleiterschicht aufweist; ein Gate mit einem leitenden Abschnitt und einem Seitenwand-Abstandhalter; ein Zwischendielektrikum (ILD), das den Seitenwand-Abstandhalter umgibt; und eine Stickstoff-enthaltende Schutzschicht, die zumindest auf der oberen Fläche des leitenden Abschnitts des Gates angeordnet ist. Eine obere Fläche des leitenden Abschnitts und eine obere Fläche des Seitenwand-Abstandhalters sind im Wesentlichen koplanar. Die Stickstoff-enthaltende Schutzschicht bedeckt nicht die Seitenwand-Oberfläche des Seitenwand-Abstandhalters. Die vorliegende Offenbarung sieht ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur vor. Das Verfahren umfasst das Ausbilden einer Metallgatestruktur, die einen leitenden Abschnitt und einen Seitenwand-Abstandhalter aufweist, der von einem ersten ILD umgeben ist; das Ausbilden einer Schutzschicht über der Metallgatestruktur, wobei die Schutzschicht so ausgebildet ist, dass sie zumindest den leitenden Abschnitt der Metallgatestruktur bedeckt; und das Ausbilden eines zweiten ILDs über der Metallgatestruktur.