发明名称 直流−直流変換装置
摘要 <p>【課題】 直流−直流変換装置の半導体スイッチの遮断電流を小さくし、電力変換効率の低下を防止する。【解決手段】 直流−直流変換装置における変圧器(2)の一次側の回路として4個の半導体スイッチ素子(101〜104)を用いたフルブリッジ構成の回路を用いた。この構成では、変圧器(2)の一次巻線(21)と二次巻線(22)の巻数比を大きくして、一次巻線(21)に発生させる電圧(V21)を大きく、変圧器(2)の一次巻線(21)に流れる電流を小さくし、半導体スイッチ素子(101〜104)の遮断電流を小さくすることができる。従って、電力変換効率の低下を防止することができる。</p>
申请公布号 JPWO2013132726(A1) 申请公布日期 2015.07.30
申请号 JP20140503426 申请日期 2012.12.25
申请人 富士電機株式会社 发明人 鷁頭 政和
分类号 H02M3/28 主分类号 H02M3/28
代理机构 代理人
主权项
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