发明名称 化合物半導体太陽電池
摘要 <p>【課題】従来のカルコパイライト型p型光吸収層を用いる太陽電池に比べ、変換効率を増加させることができる太陽電池を提供すること。【解決手段】本発明に係る太陽電池の光吸収層は、Cuと、Gaと、VIb族元素から選ばれる元素とを有するp型半導体層であり、光吸収層から得られるフォトルミネセンススペクトルまたはカソードルミネセンススペクトルにおいて、その半値幅が1meV以上15meV以下の発光ピークを含み、光吸収層の表面において粒径が2μm以上8μm以内である粒子が、膜全体の表面積に占める割合が90%以上である。【選択図】図1</p>
申请公布号 JPWO2013129557(A1) 申请公布日期 2015.07.30
申请号 JP20140502358 申请日期 2013.02.28
申请人 TDK株式会社 发明人 會田 康弘;田中 大介;栗原 雅人
分类号 H01L31/0749 主分类号 H01L31/0749
代理机构 代理人
主权项
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