发明名称 エレクトロルミネッセント素子の製造方法
摘要 <p>基板上に第1の導電層、基板に対して直交する方向に貫通する複数のコンタクトホールが形成された誘電体層、コンタクトホール内で第1の導電層と電気的に接続するとともにコンタクトホール内を充填する第2の導電層、発光層および第3の導電層とが順に積層されたエレクトロルミネッセント素子を製造する1回目のエレクトロルミネッセント素子の製造(第1の製造工程)と、第1の製造工程で製造されたエレクトロルミネッセント素子の第1の導電層および第3の導電層に電圧を印加し発光層を発光させるとともにエレクトロルミネッセント素子の温度分布を測定してエレクトロルミネッセント素子の温度ムラ情報を得る温度分布測定工程と、温度ムラ情報を基に、誘電体層を貫通する複数のコンタクトホールの密度を調整してエレクトロルミネッセント素子の温度ムラを低減する2回目のエレクトロルミネッセント素子の製造(第2の製造工程)と、を行なう製造方法により、発光面における温度ムラを低減し、長寿命のエレクトロルミネッセント素子が得られる。</p>
申请公布号 JPWO2013129612(A1) 申请公布日期 2015.07.30
申请号 JP20140502384 申请日期 2013.02.28
申请人 发明人
分类号 H05B33/10;H01L51/50;H05B33/26 主分类号 H05B33/10
代理机构 代理人
主权项
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