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发明名称
中性子発生源および中性子発生装置
摘要
本発明は、新規な中性子源を提供する。本発明の中性子発生源(1)は、中性子発生材料層(3)および金属層(2)を備えており、金属層(2)は、高い水素拡散性を示し、中性子線を受けて短い半減期の放射性核種を生じる金属元素を含んでいる。
申请公布号
JPWO2013133342(A1)
申请公布日期
2015.07.30
申请号
JP20140503524
申请日期
2013.03.06
申请人
国立研究開発法人理化学研究所
发明人
山形 豊;朱 正明;広田 克也
分类号
G21K5/08;H05H3/06;H05H6/00
主分类号
G21K5/08
代理机构
代理人
主权项
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